高新区一科技项目填补国内空白受表彰
来源：未知
点击数：998 日期：2022-06-07 09:22:18
高新区富乐华半导体科技研发的活性钎焊（AMB）氮化硅覆铜陶瓷基板突破国外技术长期垄断，一举填补我国功率半导体行业空白。在近日盐城市举行的科技工作者日庆祝活动上，该企业研发团队荣获优秀科技创新团队称号。半导体器件不断向大功率、小型化、集成化和多功能方向迅猛迈进，对封装基板的
高新区富乐华半导体科技研发的活性钎焊（AMB）氮化硅覆铜陶瓷基板突破国外技术长期垄断，一举填补我国功率半导体行业空白。在近日盐城市举行的科技工作者日庆祝活动上，该企业研发团队荣获优秀科技创新团队称号。
半导体器件不断向大功率、小型化、集成化和多功能方向迅猛迈进，对封装基板的性能也提出非常苛刻的要求。陶瓷基板在这个过程中成为一项广泛应用的基础材料，其中的尖端技术AMB氮化硅覆铜陶瓷基板备受日本功率半导体技术领域控制。富乐华自2019年起在博士团队带领下加大自主研发力度，攻克技术壁垒，实现弯道超车，成功开发出独具高热导、耐高温和较低热膨胀系数，且机械强度高、耐腐蚀绝缘性好、抗辐射能力强的AMB氮化硅陶瓷覆铜基板，为创建富乐华功率半导体研究院，夯实链主企业地位营造了强大磁场效应。
富乐华科技创新团队拥有6名博硕精英人才，由王斌博士领衔研发。该团队先后获得11项发明专利授权，研发的系列化试制产品已通过全球40余家企业样品认证，使一条又一条拥有自主知识产权的自动化生产线迅速形成，产品各项性能均达到世界先进水平，有力提升了我国功率半导体模块器件领域在国际市场上的核心竞争力和话语权。该团队领衔博士先后荣获省双创人才、苏北发展特聘专家等称号。（陈立华 文午宾）
